微电子及半导体专用化学品-化工词典

微电子及半导体专用化学品

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三(2,2,2-三氟乙基)磷酸酯
英文名称
Tris(2,2,2-trifluoroethyl)phosphate
CAS号
358-63-4
分子式
C₆H₆F₉O₄P
分子量
344.07
中文别名
三(2,2,2-三氟乙基)磷酸酯; Tris(2,2,2-trifluoroethyl) phosphate
用途
化学合成；材料科学；电池添加剂；作为有机合成催化剂；用于制备药物及医疗设备残留清洁剂；作为高性能电介质材料、金属清洗剂和光刻沉积剂；锂电池新型阻燃剂
相关属性
基本信息物化属性
三(二亚苄基丙酮)二钯(0)
英文名称
Tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0)
CAS号
51364-51-3
分子式
C₅₁H₄₂O₃Pd₂
分子量
915.72
中文别名
三(二亚苄基丙酮)二钯(0), PD 21.5%最低;三(二亚苄基丙酮)二钯(及其氯仿加合物);三(双亚苄基丙酮)二钯;三(二亚苄基茚丙酮)二钯(0);三(二亚苄基茚丙酮)二钯(0), PD 21.5% MIN;三(二亚苄基丙酮)二钯(0), 20% 钯, UMICORE制造;双[三(DIBENZYLIDENEACETONE)钯(0)]2钯(DBA);三(二亚苄基丙酮)双钯; Bis(dibenzylideneacetone)palladium(0)~Pd_2(dba)_3;Tris(dibenzylidenaceTone) dipalladium (O);Tris(dibezylideneacetone)dipalladium;Palladium, tris.mu.-(1,2-.eta.:4,5-.eta.)-(1E,4E)-1,5-diphenyl-1,4-pentadien-3-onedi-;Tris(dibenzylidenaceton)dipalladium;TRIS(BIBENZYLIDENEACETONE) DIPALLADIUM;Tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0), Pd 21.5% min;Tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0), Pd content 22-24%
用途
作为催化剂，用于Suzuki、Kumada、Negishi、Buchwald等偶联反应；氯代芳烃与苯硼酸的偶联反应；氯代芳烃与有机锡的Stille偶联；氯代芳烃与烯烃的Heck交叉偶联；分子内烯烃的不对称Heck芳基化反应；酮芳基化反应；芳基卤化物Buchwald-Hartwig氨基化反应；烯丙基氯化物氟化反应；羧酸酯β-芳基化反应；1,1-二氯-1-烯烃羰基化反应；芳基以及乙烯基三氟甲磺酸盐转化为芳基以及乙烯基卤化物的反应；制备半导体聚合物、高性能薄膜晶体管、聚合物体异质结太阳能电池。
相关属性
基本信息物化属性
三乙基化镓
英文名称
Triethylgallium
CAS号
1115-99-7
分子式
C₆H₁₅Ga
分子量
156.91
中文别名
三乙基镓;三乙基镓(TEG);三乙基鎵;三乙基化镓; triethyl-galliu;GALLIUM TRIETHYL;TRIETHYLGALLIUM;Triethylgalliumcolorlessliq;Triethylgalliumelecgrcolorlessliq;Triethylgallium,elec.gr.(99.9999%-Ga)PURATREM;Triethylgallium,min.97%;Triethylgallium, min. 97%
用途
三乙基镓是无色液体，比重1.0586(30℃)，熔点-82.3℃，沸点142.6℃；蒸气中呈单体，在空气中燃烧，发出猛烈的火焰；溶于乙醚、苯等有机溶剂，遇冷水迅速分解产生二乙基氢氧化镓和乙烷；广泛应用于生长铟镓砷氮(InGaAsN)、铟镓砷(InGaAs)、铟镓磷(InGaP)等化合物半导体薄膜材料。
相关属性
基本信息物化属性
三乙基铟
英文名称
triethylindigane
CAS号
923-34-2
分子式
C₆H₁₅In
分子量
202.001
中文别名
三乙基铟; triethyl indium; EINECS 213-095-0; Indium,triethyl; Triaethyl-indium; INDIUM TRIETHYLSOLN IN HEPTANE; triethylindiumm
用途
- 性质三乙基铟学式(C2H5)3In。分子量202.01。无色液体。熔点-32℃。沸点144℃。在空气中自燃。溶于有机溶剂。在苯溶液中呈单体。与冷水作用生成二乙基氢氧化铟和乙烷，与90℃热水作用则完全分解。 - 高纯三乙基铟是金属有机化学气相沉积(简称MOCVD)、金属有机分子束外延(简称MOMBE)等技术生长半导体微结构材料的铟源。在半导体工业中，它单独或与至少一种第五主族元素(主要是磷和砷)的气态氢化物沉积到合适的晶体基质上，可制成性能极其优良的半导体材料，在国外被广泛应用于电子工业中制造红外控测器、微波振荡器、半导体光发射二级管等的核心原件。
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基本信息物化属性
三乙基锑
英文名称
triethylstibane
CAS号
617-85-6
分子式
C₆H₁₅Sb
分子量
208.943
中文别名
三乙基锑 TESB;三乙基锑; Stibine,triethyl; triethylantimoly; triisopropylstibane; triethyl-antimony; Antimony triethide; EINECS 210-534-8; Triethylstibine
用途
三乙基锑呈无色液体状，久置产生白色沉淀，能与乙醇和乙醚混溶，不溶于水，为烷烃金属类有机物，主要用作有机合成催化剂；主要用于有机合成及半导体材料制备（如AlSb、GaSb、InSb等），是MOCVD、CBE过程中生长光电材料的重要源之一
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基本信息物化属性
三氟化氮
英文名称
Nitrogen trifluoride
CAS号
7783-54-2
分子式
F₃N
分子量
71
中文别名
氟化氮; N,N,N-Trifluoroamine;NF3;Nitrogen fluoride (NF3);nitrogenfluoride(nf3);Perfluoroammonia;Stickstoff(III)-fluorid;Stickstofftrifluorid;Trifluoroamine
用途
三氟化氮是微电子工业优良等离子蚀刻气体，对硅和氮化硅蚀刻速率高、选择性好且无污染；用于IC、LCD、太阳能电池制造；作为高能化学激光器氟源；理化性质：无色无臭液化气体，稳定，不溶于水和碱，350℃分解，毒性大，急性毒性大鼠吸入LC50 176ppm(lh)，美国作业环境最高容许浓度10ppm(30mg/m³)；包装有20KG/44L钢瓶和8~14吨ISO管束槽；储运需库房通风低温干燥，与氢气、还原剂、油脂分开存放，灭火剂用雾状水、泡沫。
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基本信息物化属性
三氟甲烷
英文名称
Trifluoromethane
CAS号
75-46-7
分子式
CHF₃
分子量
70.01
中文别名
氟仿;HFC-23灭火剂;氟里昂-23;HFC-23氢氟烃(HFC);R23; Fron23;FE13;arcton1;FC-13;HCFC23;CFC23;Methane, trifluoro-;Fluoryl;CHF3;R-23;HFC-23;trifluoromethane acid
用途
1. 用作超临界萃取法溶剂、低温制冷剂，及作为灭火剂和制造四氟乙烯的原料，电子工业等离子体化学蚀刻剂及氟有化合物的原料。2. 电子级氟仿是微电子工业广泛应用的等离子蚀刻气体之一，尤其是对二氧化硅膜的刻蚀，具有刻蚀速度快，选择性好的优点。此外，氟仿还用于低温混合制冷剂、有机合成中间体、红外检测器直接冷却剂等。3. 用作低温致冷剂及作为灭火剂和制造四氟乙烯的原料。
相关属性
基本信息物化属性
三氟碘甲烷
英文名称
Trifluoroiodomethane
CAS号
2314-97-8
分子式
CF₃I
分子量
195.91
中文别名
三氟甲基碘;三氟-碘甲烷;三氟碘甲烷, 97+%;三氟碘甲烷, 99.9%;三氟碘甲烷钢瓶装;碘三氟;三氟甲基碘全氟甲基碘碘代三氟甲烷;三氟碘甲烷(钢瓶装的); PERFLUOROMETHYL IODIDE;CF3I;CIF3;FIC-1311;Freon13I1;freon13t1;iodotrifluoromethane(trifluoromethyliodide);Methane,trifluoroiodo-
用途
三氟碘甲烷是三氟甲基化剂；作为灭火剂具有灭火效率高、安全性能好、经济效用高、灭火后不留痕迹等特点，是哈龙1301优选替代品种；作为制冷剂不燃，油溶性和材料相容性好，是传统氟利昂制冷剂组元的理想替代品之一；在含氟中间体、半导体蚀刻、发泡剂等其他领域也具有广泛的应用前景；气体液化后对各种油污有良好的溶解作用，作为精密仪器清洗剂，对油污清洗彻底，不需要添加表面活性剂或其它添加剂，清洗过程是纯粹的物理过程，清洗气体与油污容易分离，分离后的气体循环使用，不产生二次污染；广泛应用于精密仪器的清洗，尤其适用于大型、具有复杂外形精密仪器的清洗；医药级产品广泛应用于抗癌药物(ABT263,ABT737)，超疏水自清洁材料，液晶材料等的制备；用于α,-不饱和酮的铑催化α-三氟甲基化反应的试剂。
相关属性
基本信息物化属性
三氧化二硼
英文名称
Boron Oxide
CAS号
1303-86-2
分子式
B₂O₃
分子量
69.62
中文别名
硼酐;氧化硼;硼酐, 99.999% (METALS BASIS);氧化硼, 97.5%最低, 通常 98.5%;氧化硼, PURATRONIC, (H{2}O 200PPM), 99.999% (METALS BASIS);氧化硼, PURATRONIC, 99.999% (METALS BASIS); B2O3;B-O;Boria;boricacid(hbo2),anhydride;boricoxide(b2o3);Boron oxide (B2O3);BORON TRIOXIDE
用途
硅酸盐分析中测定二氧化硅和碱；吹管分析；分解硅酸盐的助熔剂；半导体材料掺杂剂；耐热玻璃器皿和油漆耐火添加剂；制取元素硼和各种硼化合物的原料；冶金工业合金钢生产；有机合成催化剂；高温润滑剂添加剂；化学试剂；彩色电视机工业半导体硅掺杂源；环保方面应用
相关属性
基本信息物化属性
三氧化二铟
英文名称
Indium(III) oxide
CAS号
1312-43-2
分子式
In₂O₃
分子量
277.63
中文别名
三氧化二铟;氧化铟;氧化銦;氧化铟(三氧化二铟);氧化铟 10G;氧化铟4N(99.99%)/5N(99.999%);氧化铟涂覆的 PET;氧化铟涂覆的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜; Indium(III) oxide,99.999%,-325 mesh;Indium(III) oxide, 99.994% (metals basis);Indium oxide;Indium oxide coated PET;Polyethylene terephthalate film, indium oxide coated;Indium(III) oxide, synthesis grade;Indium oxide/ 99.999%;Indium(III) oxide, Puratronic (metals basis)
用途
三氧化二铟用于制造玻璃及其他铟盐；作为N型宽带隙透明半导体纳米材料，应用于超灵敏气体传感器、太阳能电池、液晶显示、建筑玻璃加热材料、生物荧光指示剂、玻璃透明涂料；用作光谱纯试剂和电子元件材料；主要用于电池原材料、荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂等。
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基本信息物化属性
三氧化二镓
英文名称
Gallium(III) Oxide
CAS号
12024-21-4
分子式
Ga₂O₃
分子量
187.44
中文别名
氧化镓(IV), 99.999% (METALS BASIS);氧化镓 (METALS BASIS);氧化镓(III);氧化镓, 99.999% (METALS BASIS);氧化镓;氧化镓, 99.995% (METALS BASIS);氧化镓, 99.99% (METALS BASIS);氧化镓, PURATRONIC, 99.999% (METALS BASIS); galliumtrioxide;Gallium(III) oxide (99.999% Ga) PURATREM;Galliumoxidewhitepowder;GalliuM(III) oxide >=99.99% trace Metals basis;Gallium(III) oxide (Ga2O3);Gallium(III) oxide, 99.999% trace metals basis;Gallium(Ⅲ) oxide;GalliuM(Ⅵ) oxide
用途
分析试剂（光谱分析测定铀中杂质、高纯分析试剂）；半导体材料气相掺杂、制备；Ga基半导体材料绝缘层及紫外线滤光片；用于电子工业半导体材料制备；彩色电视绿色荧光体；制取钆镓石榴石、催化剂、Sr2CuGaO3S等原料
相关属性
基本信息物化属性
三氧化碲
英文名称
Tellurium trioxide
CAS号
13451-18-8
分子式
O₃Te
分子量
175.598
中文别名
氧化碲; EINECS 236-620-5; telluric oxide; Tellane, oxo-, dioxide; tellurium oxide; EINECS 231-193-1; Oxotellane dioxide; tellurium(VI) oxide; Tellurium oxide (TeO3); Tellurtrioxid
用途
- 化学性质氧化碲是氧和碲的二元化合物总称，常见的有氧化碲TeO和二氧化碲TeO2，五氧化二碲Te2O5及三氧化碲TeO3等。这4种氧化物中，氧化碲是碱性的，二氧化碲是两性的，五氧化二碲和三氧化碲都是酸性的。氧化碲是灰黑色固体，它的存在说明碲的金属性强于硫和硒。二氧化碲是不挥发的白色固体，相对密度为5.67，熔点为733℃，沸点为1245℃，有毒!难溶于水，能溶于氢氧化钠生成亚碲酸钠，用硝酸酸化有白色片状亚碲酸H2TeO3析出。二氧化碲受热能被氢气还原成单质碲。 - 制备亚碲酸盐。发射光谱分析。电子元件材料。防腐剂。二氧化碲是碲的氧化物，由碲在空气中燃烧或被热氧化而成。碲和它的化合物是电子工业中半导体的材料。另外，还可以作电镀液中的光亮剂、石油裂化的催化剂、陶瓷和玻璃的着色剂。它添加到钢材中能增加延性。添加到铅中以增加强度和耐腐蚀性，它还是橡胶的硫化剂。还是制造光敏电阻、光电池的材料。
相关属性
基本信息物化属性
三氯化砷
英文名称
arsenic trichloride
CAS号
7784-34-1
分子式
AsCl₃
分子量
181.281
中文别名
氯化亚砷; Arsenous bromide;Arsentribromid;Arsenious bromide;MFCD00014165;arsenium trichloride;arsenium tribromide;ARSENIC(III) CHLORIDE;trichloroarsane;Arsenic(III) bromide;Tribromoarsine;ARSENIC TRIBROMIDE;Arsenous tribromide;arsenic (III)-chloride;Arsentrichlorid;EINECS 232-059-5;Arsenic(II) bromide;arsenic(III) trichloride;Arsenic bromide (AsBr3)
用途
三氯化砷主要用于制备砷化合物、半导体材料、医药中间体及农药中间体，在化工合成中作为重要原料。
相关属性
基本信息物化属性
三氯化硼
英文名称
Boron trichloride
CAS号
10294-34-5
分子式
BCl₃
分子量
117.17
中文别名
三氯化硼溶于二氯乙烷;三氯化硼正己烷溶液;三氟化硼(二氯甲烷溶液);三氯化硼溶液(正己烷溶液);三氯化硼,1MCH2CL2溶液(冷库);三氯化硼, 1M 己烷溶液;三氯化硼-二氯甲烷溶液1M; trichloro-boran;Trichloroborane;Trichloroboron;trichloro-Boron;Trona boron trichloride;BORON TRICHLORIDE, 1.0M SOLUTION IN HEPT ANE;BORON TRICHLORIDE, 1.0 M SOLUTION IN TO&BORON TRICHLORIDE, 1.0M SOLUTION IN P-XY LENE
用途
有机反应催化剂（用于脂肪酸甲酯制备、三酸甘油酯酯交换）；半导体器件制造（等离子干刻、扩散掺杂、干法蚀刻）；制备高纯硼、氮化硼、硼烷等；金属精炼除氮、碳、氧化合物；有机硼化物合成；硅酸盐分解助熔剂；钢铁硼化。
相关属性
基本信息物化属性
三氯化磷
英文名称
Phosphorus Trichloride
CAS号
7719-12-2
分子式
Cl₃P
分子量
137.33
中文别名
氯化磷(Ⅲ);氯化磷;氯化磷(III), 2.0 M SOLUTION IN METHYLENE CHLORIDE, SPCSEAL;三氯化磷溶液;无水氯化磷;三氯化磷(*)(剧毒)(XZ);氯化磷(III), 99.997% (METALS BASIS);氯化磷,氯化亚磷; phosphore(trichlorurede);phosphore(trichlorurede)(french);Phosphorous chloride;Phosphorous trichloride;phosphorouschloride;Phosphoroustrichloride;Phosphortrichlorid;Phosphorus chloride (cl6p2)
用途
三氯化磷是催化剂、磷的溶剂、氯化剂，用于合成有机磷农药（如敌百虫、敌敌畏、甲胺磷等）、医药中间体（磺胺嘧啶等）、染料中间体、香料氯化剂及催化剂，还可用作半导体掺杂源和高纯磷制备原料。
相关属性
基本信息物化属性
三氯氧磷
英文名称
Phosphorus Oxychloride
CAS号
10025-87-3
分子式
Cl₃OP
分子量
153.33
中文别名
三氯氧磷(剧毒品);磷酰三氯;氯化磷酰;三氯氧化磷;氯氧化磷/三氯氧磷;三氯氧磷99%;三氯氧磷(V);三氯氧化磷(V), 99.999% (METALS BASIS);氧氯化磷;磷酰氯;三氯化磷酰; Phosphorus oxychloride,99%;Phosphorus oxychlori;phosphollJs oxychloride;Phosphorus oxitrichloride;oxychloride;Phosporus Oxychloride;Fosforoxychlorid;OPCl3
用途
三氯氧磷是重要的工业化工原料，主要用作氯化剂（取代有机物中的氧、氧化剂、催化剂）；用于制备磷酸酯（如磷酸三苯酯、磷酸三甲苯酯等，作阻燃剂及聚氯乙烯增塑剂）；在半导体工业中作为磷源用于N型硅掺杂；在有机合成中用于Vilsmeier-Haack反应制备芳醛/酮、酰胺转化为腈等；还用于染料中间体、长效磺胺药物合成及铀矿提取等。
相关属性
基本信息物化属性
三氯硅烷
英文名称
Trichlorosilane
CAS号
10025-78-2
分子式
Cl₃HSi
分子量
135.452
中文别名
三氯氢硅;硅仿;硅氯仿; trichlorohydrosilane;UNII-QZY2645L6V;Silicochloroform;Silane,trichloro;trichlorosilyl hydride;tri-chlorosilane;silici-chloroforme;silanea-19;EINECS 233-042-5;siliciumchloroform;silane, trichloro;MFCD00011518;trichlorsilan;triclorosilano;trichloro-silan;trichloorsilaan
用途
- 三氯氢硅三氯氢硅又称三氯硅烷、硅氯仿，用作高分子有机硅化合物的原料。三氯氢硅不仅是制造硅烷偶联剂和其它有机硅产品的重要中间体，还是制造多晶硅的主要原料。硅烷偶联剂是一种重要的、高科技含量、高附加值的有机硅复合材料，通过硅烷偶联剂可使非交联树脂实现交联固化或改性，因此在玻璃纤维、铸造、轮胎橡胶等行业得到了日益广泛的应用。生产三氯氢硅的主要副产品四氯化硅也是制造有机硅的主要原料，它的制成品有硅酸酯、有机硅油、高温绝缘漆、有机硅树脂、硅橡胶和耐热垫衬材料等。高纯的四氯化硅还是制造高纯二氧化硅、无机硅化合物、石英纤维以及光导纤维的重要原料。多晶硅产品的主要用途：(1)可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能；(2)高纯的晶体硅是重要的半导体材料；(3)金属陶瓷、宇宙航行的重要材料；(4)光导纤维通信，最新的现代通信手段；(5)性能优异的硅有机化合物。 - 理化性质三氯硅烷在常温常压下为具有刺激性恶臭易流动易挥发的无色透明液体。在空气中极易燃烧，在-18℃以下也有着火的危险，遇明火则强烈燃烧，燃烧时发出红色火焰和白色烟，生成SiO2、HCl和Cl2：SiHCl3+O2→SiO2+HCl+Cl2；三氯硅烷的蒸气能与空气形成浓度范围很宽的爆炸性混合气，受热时引起猛烈的爆炸。它的热稳定性比二氯硅烷好，在900℃时分解产生氯化物有毒烟雾(HCl)，还生成Cl2和Si。遇潮气时发烟，与水激烈反应:2SiHCl3+3H2O→(HSiO)2O+6HCl；在碱液中分解放出氢气：SiHCl3+3NaOH+H2O→Si(OH)4+3NaCl+H2；与氧化性物质接触时产生爆炸性反应。与乙炔、烃等碳氢化合物反应产生有机氯硅烷：SiHCl3+CH≡CH→CH2CHSiCl3、SiHCl3+CH2=CH2→CH3CH2SiCl3；在氢化铝锂、氢化硼锂存在条件下，SiHCl3可被还原为硅烷。容器中的液态SiHCl3当容器受到强烈撞击时会着火。可溶解于苯、醚等。无水状态下三氯硅烷对铁和不锈钢不腐蚀，但是在有水分存在时腐蚀大部分金属。 - 毒性吸入三氯氢硅蒸气数分钟后，表现兴奋，呼吸反射障碍，呼吸器官有炎症。溅在皮肤上可引起坏死，溃疡长期不愈。最高容许浓度为1 mg/m 3 (必须检测HCl)。生产人员要穿着密闭型工作服，戴防毒口罩、密闭眼镜、乳胶手套等劳保用品，防止呼吸器官、眼睛和皮肤的直接接触。生产设备要密闭，车间通风良好。下班后要洗淋浴，遵守个人卫生。生产工人进行就业前和定期体检。 - 化学性质无色液体。溶于二硫化碳、四氯化碳、氯仿、苯等。 - 用作高分子有机硅化合物的原料，也用于仪表工业 - 制造有机硅化合物的原料，也是生产多晶硅的基本原料。 - 急性毒性口服-大鼠 LD50:1030毫克/公斤; 吸入-小鼠 LC50:1500毫克/立方米/2小时 - 可燃性危险特性遇明火、高温、氧化剂易燃; 遇水或高温产生有毒氯化物和氟化物烟雾 - 储运特性库房通风低温干燥; 与氧化剂、酸类分开存放 - 灭火剂干粉、干砂、二氧化碳、泡沫
相关属性
基本信息物化属性
三溴化硼
英文名称
Boron Tribromide
CAS号
10294-33-4
分子式
BBr₃
分子量
250.52
中文别名
三溴化硼(的二氯甲烷溶液,约1MOL/L);三溴化硼(冷库);碳酸钠石;天然碱;三溴化硼(4个9);三溴化硼,1M在二氯甲烷溶剂中;三溴化硼, 99% MIN; Boron tribromide, 1M solution in methylene chloride, AcroSeal;Boron tribroMide, 1M soln. in heptane;BORON TRIBROMIDE FOR SYNTHESIS;BorontribroMide , 99% BBr3;Boron tribroMide, 1.0 M solution in CH2Cl2;Boron tribroMide, 1.0 M solution in heptane, SpcSeal;Boron tribroMide, 1.0 M solution in Methylene chloride, SpcSeal;Boron Tribromide (29% in Heptane, ca. 1mol/L)
用途
三溴化硼是无色发烟液体，有毒，遇水/醇分解发烟，用于半导体硅掺杂、有机硼化合物及高纯硼制备；在有机合成中作催化剂、溴化剂，参与醚键/胺键/硫醇键断裂及丙二烯/炔烃加成反应，芳甲醚断裂反应活性高；实验室通过三氧化二硼、碳和溴单质共热制得，工业上可通过元素硼粉与溴素高温反应，经脱溴、精馏提纯
相关属性
基本信息物化属性
三甲基硅烷
英文名称
trimethylsilane
CAS号
993-07-7
分子式
C₃H₁₀Si
分子量
74.197
中文别名
三甲基硅烷; SILICON TRIMETHYL; trimethylsilicon; trimethyl-silane; Trimethylsilyl hydride,2-Methyl-2-silapropane; 2-Methyl-2-silapropane; EINECS 213-603-0; trimethyl-silan
用途
半导体工业中的等离子相腐蚀剂；半导体领域中层间绝缘膜的成膜原料
相关属性
基本信息物化属性
三甲基铟
英文名称
Trimethylindium
CAS号
3385-78-2
分子式
C₃H₉In
分子量
159.92
中文别名
三甲基铟;三甲基銦;高纯三甲基铟;三甲基铟(TMI);三甲基铟 TMIN;液态铟;三甲基钢; TRIMETHYLINDIUM;Indium, trimethyl-;Trimethylindium,98+%(99.9+%-In);Trimethylindium,elec.gr.(99.999%-In)PURATREM;TRIMETHYLINDIUM (99.9%IN);TRIMETHYL INDIUM, TYPE C BUBBLER, BOTTOM DIA. 50.8MM DIA.;Trimethylindiumelecgrwhitextl;Trimethlindium
用途
常温常压下为无色透明具有特殊臭味的升华性无色结晶，遇冷水部分水解放出甲烷气体，与脂肪族饱和烃、芳香族烃任意比例相溶，空气中自燃，与AsH₃、PH₃、醚类、叔胺等形成稳定络合物；与具有活性氢的醇类、酸类激烈反应，与甲基醚等形成配位化合物但稳定性比镓差，光照易分解，需阴凉干燥保存；用于有机合成、化学气相淀积、外延成长。
相关属性
基本信息物化属性

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