高端新材料与电子化学-化工词典

高端新材料与电子化学

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硅化铪
英文名称
Hafnium silicide
CAS号
12401-56-8
分子式
HfSi₂
分子量
234.66
中文别名
二硅化铪; 硅铪合金; 硅铪; 纳米二硅化铪; 二硅化铪粉; hafnium disilicide; HAFNIUM (IV) SILICIDE; hafniumsilicide(hfsi2)
用途
硅化铪是过渡金属硅化物，难熔金属间化合物，因独特物理化学性质应用于互补金属氧化物半导体元件、薄膜涂层、块体结构组件、电热元件、热电材料和光伏材料等领域；呈灰色金属粉末状，密度8.02g/cm³，熔点1680℃，具电学、光学、磁学和热电等性能；其纳米材料在催化领域有潜在应用，主要用于发光材料及复合材料。
相关属性
基本信息物化属性
硅化锆
英文名称
Zirconium silicide
CAS号
12039-90-6
分子式
Si₂Zr
分子量
147.4
中文别名
纳米硅化锆; 二硅化锆; 纳米二硅化锆; Zirconium disilicide
用途
硅化锆作为锆-硅金属间化合物，具有高硬度、高熔点、高导电性、高热导率、优良的抗热震性能，是可应用于高温腐蚀性介质的结构材料或新型工程材料；用作精细陶瓷原料粉，用于生产半导体薄膜生产用坩埚。
相关属性
基本信息物化属性
硅化镁
英文名称
Magnesium silicide
CAS号
39404-03-0
分子式
Mg₂Si
分子量
76.7
中文别名
高纯硅化二镁; 硅化镁粉; Silanediylidenedimagnesium; magnesiumsilicide(mg2si); dimagnesium silicide; Magnesium silicide, powder; Dimagnesium monosilicide
用途
硅化镁是窄带隙n型半导体材料，具有高熔点、高硬度、高弹性模量特性，在光电子器件、电子器件、能源器件、激光、半导体制造、恒温控制通讯等领域有重要应用前景。
相关属性
基本信息物化属性
硅化镁
英文名称
Magnesium silicide
CAS号
22831-39-6
分子式
Mg₂Si
分子量
76.7
中文别名
硅化二镁; Dimagnesium monosilicide; Dimagnesium silicide; Magnesium silicide (Mg2Si); Silanediylidenedimagnesium
用途
Used in semiconductor research; [Merck Index] 2019: 686,400 lb; 2018: 789,100 lb; 2017: 485,100 lb; 2016: 434,300 lb Fabricated Metal Product Manufacturing; Primary Metal Manufacturing; Construction; Miscellaneous Manufacturing; Machinery Manufacturing; Electrical Equipment, Appliance, and Component Manufacturing; Transportation Equipment Manufacturing Magnesium silicide (Mg2Si): ACTIVE 金属硅化物材料具有许多优异的热学、电学及力学性能，其中硅化镁(Mg2Si)是Mg－Si二元体系的唯一稳定化合物，具有高熔点、高硬度、高弹性模量的特性，是一种窄带隙n型半导体材料，在光电子器件、电子器件、能源器件、激光、半导体制造、恒温控制通讯等领域有重要应用前景。
相关属性
基本信息物化属性
硅烷
英文名称
Silicon tetrahydride
CAS号
7803-62-5
分子式
H₄Si
分子量
32.12
中文别名
甲矽烷; 四氢化硅; 甲硅烷; 高纯硅烷; Monosilane; SiH4; Silicane; Silicon hydride; Silicon hydride (SiH4)
用途
电子工业用作氮化硅、外延材料等的掺杂源，半导体超纯硅原料，用于单晶硅、多晶硅外延片及二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃等化学气相沉积工艺；广泛用于太阳能电池、硅复印机鼓、光电传感器、光导纤维及特种玻璃等生产；理化性质：无色气体，比空气重，有特殊气味；急性毒性：吸入-大鼠LC50: 9600 PPM/4小时，吸入-小鼠LCL0: 9600 PPM/4小时；爆炸物危险特性：与空气混合易爆；可燃性危险特性：易燃，遇热分解有毒硅和易燃氢气；储运特性：库房通风低温干燥，与氧化剂、卤素分开存放；灭火剂：雾状水、泡沫、二氧化碳；职业标准：TLV-TWA 7 毫克/立方米
相关属性
基本信息物化属性
硅酸钾
英文名称
potassium silicate
CAS号
分子式
K₂O₃Si
分子量
154.2803
中文别名
电子级硅酸钾; potassium silicate
用途
电子级硅酸钾是无色、无臭、无味、无毒，具有黏性的透明液体，冰点-2～-11℃，可与水以任意比例混合；液体产品是显像管与荧光粉之间的最佳黏结剂，广泛用于显像管、示波管、雷达屏、投影管等方面的生产，其效果极佳。
相关属性
基本信息物化属性
硅锂
英文名称
Lithium silicon
CAS号
68848-64-6
分子式
LiSi
分子量
39.058
中文别名
锂硅合金; Lithium alloy,nonbase,Li,Si; Silicon alloy,nonbase,Li,Si; Lithium-siliconalloy
用途
锂硅合金粉主要用于发射导弹、火箭、炮弹的配套动力电源热电池的负极材料，较钙系、镁系热电池体系有着大功率放电、高比能量、激活迅速、贮存期长及结构紧凑等优点。
相关属性
基本信息物化属性
硒
英文名称
Selenium
CAS号
7782-49-2
分子式
Se
分子量
78.96
中文别名
硒丸; 硒片; 硒粉; 硒粒; 高纯硒; 硒离子标准溶液; 硒标准溶液; gray selenium; elemental selenium; selenium atom
用途
硒标准溶液用于化学合成（硒有机化合物制造）、凯氏定氮用催化剂、芳香族化合物脱氢剂；材料科学中制造整流器、光电管、静电复印及其他光学仪器材料；照相增感剂；ICP-AES、AAS等分析用标准溶液；校准仪器和装置；质量保证/质量控制等。
相关属性
基本信息物化属性
硒
英文名称
Selenium
CAS号
7782-49-2
分子式
Se
分子量
78.96
中文别名
硒丸; 硒片; 硒粒; 硒粉; 高纯硒; gray selenium; elemental selenium; selenium atom
用途
化学合成，硒有机化合物制造；凯氏定氮用催化剂，芳香族化合物脱氢剂；材料科学，制造整流器、光电管、静电复印及其他光学仪器材料；照相增感剂。
相关属性
基本信息物化属性
硒化亚铜
英文名称
Copper(I) selenide
CAS号
20405-64-5
分子式
Cu₂Se
分子量
206.06
中文别名
硒化铜(I); 硒化亚铜(I); 硒化铜CU2SE; copperselenide(cu2se); COPPER SELENIDE; CUPROUS SELENIDE; dicopper selenide; Copper selenide (Cu2Se)
用途
硒化亚铜是一种半导体材料，以立方、正方或正交形式存在，可形成薄膜，用作太阳能电池材料、滤光片、热电转换器、光电器件和微波屏蔽涂层；作为热电材料用于红外检测和成像；主要用于制备族化合物半导体、硒化亚铜靶材、铜铟镓硒薄膜太阳能电池。
相关属性
基本信息物化属性
硒化汞(II)
英文名称
Mercury(II) selenide
CAS号
20601-83-6
分子式
HgSe
分子量
279.55
中文别名
硒化汞; 硒化汞(HGSE); mercuryselenide(hgse); mercury-seleniumcomplex; Mercuryselenidegraypowder; Tiemannite
用途
硒化汞作为半金属材料，用于制造太阳能电池、薄膜晶体管、红外检波器和超声放大器；还用于制作霍尔效应高灵薄膜和分析试剂。目前，尚未有专利和文献报道将HgSe作为光催化剂用于染料污染物的降解。
相关属性
基本信息物化属性
硒化铊(I)
英文名称
Thallium(I) selenide
CAS号
15572-25-5
分子式
SeTl₂
分子量
487.73
中文别名
硒化铊(I);硒化铊(I), 99.9% (METALS BASIS); Thallium selenide; Dithallium selenide; Thallous selenide; Dithallium monoselenide
用途
Used in molten form as a semiconductor; Semiconductor Manufacturing [Category: Industry]
相关属性
基本信息物化属性
硒化铟(III)
英文名称
Indium(III) selenide
CAS号
12056-07-4
分子式
In₂Se₃
分子量
466.52
中文别名
硒化铟; 铟硒化物; 三硒化二铟; Indiumselenide; indium selenide; diindium triselenide; indiumselenide(in2se3)
用途
硒化铟是典型二维层状半导体材料，具有优异电子和光电特性，其薄膜在二维场效应晶体管中应用，AlO电介质可降低库伦散射，电学稳定性影响实际应用。
相关属性
基本信息物化属性
硒化锆
英文名称
zirconium selenide
CAS号
12166-47-1
分子式
Se₂Zr
分子量
249.17
中文别名
二硒化锆; bis(selanylidene)zirconium; zirconium diselenide; Einecs 235-325-9; Zirconium selenide (zrse2); zirconium(IV) selenide
用途
在锂电池中用作阴极材料。
相关属性
基本信息物化属性
硒化锌
英文名称
Zinc selenide
CAS号
1315-09-9
分子式
SeZn
分子量
144.35
中文别名
硒化鋅; Selenoxozinc; ZINC SELENIDE
用途
- 半导体材料：作为Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，用于制造窗口材料、聚焦透镜、分束器、棱镜和CO₂激光器等，是高功率CO₂激光光学元件首选材料； - 荧光材料、半导体掺杂物； - 可燃性危险特性：不燃，受热、遇酸放出剧毒硒化氢气体； - 储运特性：库房通风低温干燥，与酸类、食品分开储运； - 灭火剂：二氧化碳、干粉、砂土； - 职业标准：0.2毫克(硒)/立方米
相关属性
基本信息物化属性
硒化锑(III)
英文名称
Antimony(III) selenide
CAS号
1315-05-5
分子式
Sb₂Se₃
分子量
480.4
中文别名
硒化锑; 硒化锑SB2Se3; ANTIMONY SELENIDE; ANTIMONY TRISELENIDE; diantimony triselenide; 1,3-Distiba-2,4,5-triselenabicyclo[1.1.1]pentane
用途
硒化锑（Sb₂Se₃）是一种二元单相化合物，由于其原料储量大、毒性低、价格便宜，能带宽度合适（～1.15eV），吸光系数大（>10⁵cm⁻¹），晶体生长温度低，非常适合制作新型低成本低毒的太阳能电池。
相关属性
基本信息物化属性
硒化锗
英文名称
Germanium selenide
CAS号
12065-10-0
分子式
GeSe
分子量
151.6
中文别名
硒化锗(II); 一硒化锗; Germanium(II) selenide; germanium monoselenide; selenoxogermanium; selanylidenegermanium; SELANYLIDENEGERMANYLIDENE
用途
硒化锗（GeSe）是一种具有稳定半导体性能的正交晶系离子性晶体，α-GeSe为直接带隙半导体，β-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe为间接带隙半导体材料，其中β-GeSe单层材料适用于光催化分解水。
相关属性
基本信息物化属性
硒化锡
英文名称
Tin selenide
CAS号
1315-06-6
分子式
SeSn
分子量
197.67
中文别名
硒化锡(II); 一硒化锡; 硒化锡SnSe; SeSn; SnSe; Tin selenide (SnSe); TIN (II) SELENIDE; selanylidenestannane; selenoxostannane; Stannous selenide; Tin(II) selenide; Tin monoselenide
用途
硒化锡（SnSe）为灰色正交晶系晶体，具半导体性，不溶于水但溶于硝酸、王水及碱和浓酸，对水中有机物剧毒；主要作为半导体材料，其单晶可通过机械或液相剥离制备单层及少层锡基材料。
相关属性
基本信息物化属性
硒化锰
英文名称
Manganese selenide
CAS号
1313-22-0
分子式
MnSe
分子量
133.9
中文别名
硒化锰(II); Manganese(II) Selenide; Manganeseselenide; Manganese selenide (MnSe)
用途
作为转化型电极材料，具备作为铝离子电池正极材料的潜质；制备方法：在100mL水热反应釜中加入80mL乙醇胺，随后将0.39g硒粉、0.63g MnCl2·4H2O、0.8g KBH4置于该反应釜中。把反应釜置于真空干燥箱中，在180℃下保存12小时，冷却至室温后，用去离子水和无水乙醇各离心洗涤三次，在60℃的真空环境下干燥8小时，得到MnSe粉末。
相关属性
基本信息物化属性
硒化镉
英文名称
Cadmium selenide
CAS号
1306-24-7
分子式
CdSe
分子量
191.37
中文别名
硒化鎘; cadmiumselenide(cdse); selanylidenecadmium; Selenoxocadmium
用途
硒化镉晶体可作为n型半导体，带隙1.74 eV（300K），用于制备半导体量子点（量子尺寸效应使带隙随尺寸变化），如核壳型CdSe/CdS量子点用于量子点敏化太阳电池；与CdS一起沉积在玻璃或硅基板上形成分散体可得到可调的红色、黄色或绿色荧光材料；还用于电子发射器和光谱分析、光导体、光敏元件等。
相关属性
基本信息物化属性

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