- 英文名称
- Hafnium(IV) Oxide
- 分子式
- HfO2
- 分子量
- 210.49
- 中文别名
- 氧化铪(III);Hafnium (IV)鎜xide (99.998%-Hf) PURATREM;氧化铪 (METALS BASIS EXCLUDING ZR), ZR <1.5%;氧化铪;氧化铪,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化铪,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化铪(IV), 99.995%, (METALS BASIS EXCLUDING ZR), ZR TYPICALLY <0.2%;氧化铪, 99.95%, (METALS BASIS EXCLUDING ZR), ZR TYPICALLY; HAFNIUM OXIDE, 99.99%;HafniuM(IV) oxide, 99.99%, (trace Metal basis);dioxohafniuM;HafniuM(IV) oxide, (trace Metal basis);Hafnium(IV) oxide powder, 98%;Hafnium oxide/ 99.999%;HAFNIUM OXIDE, 99.8%;HAFNIUM OXIDE, 99.9%HAFNIUM OXIDE, 99.9%HAFNIUM OXIDE, 99.9%HAFNIUM OXIDE, 99.9%
- 用途
- 光谱分析；耐熔金属氧化物。作为光学镀膜材料，因高熔点、强中子捕获能力及化学稳定性，在光学领域应用广泛；在微电子领域，因其高介电常数和宽禁带，有望替代传统SiO₂解决MOSFET尺寸极限问题；作为生产金属铪和铪合金的原料；用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。
