22398-80-7 磷化铟

中文名称: 磷化铟
英文名称: Indium(III) phosphide
CAS号
分子式: InP
分子量: 145.79
更新日期: 2026-03-29

名称和标识

中文名: 磷化铟
英文名: Indium(III) phosphide
CAS号: 22398-80-7
分子式: InP
分子量: 145.79
中文别名: 磷化铟晶体INP;磷化铟(III);磷化铟, 99.9999% (METALS BASIS);磷化铟, 多晶块, 99.99% (METALS BASIS);磷化铟, 99.999% (METALS BASIS);磷化铟, 多晶块;磷化铟(III), 99.9999% (METALS BASIS);磷化铟粉
英文别名: InP;metel basisINDIUM PHOSPHIDE;INDIUM(III) PHOSPHIDE;Phosphinetriylindium(III);Phosphinidyneindium(III);Indium phosphide/ 99.999%;Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM;Indium phosphide wafer

物化属性

外观与性状: 单晶呈银灰色，质地较软
形态: 片状
颜色: 黑色
暴露限值: ACGIH: TWA 0.1 mg/m3 NIOSH: TWA 0.1 mg/m3
IARC致癌物分类: 2A (Vol. 86) 2006
临界压力: 未确定
临界温度: 未确定
储存条件/存储条件: 保持贮藏器密封放入紧密的贮藏器内，储存在阴凉，干燥的地方
努氏硬度: 4100, N/mm2
密度: 4,787 g/cm3
折射率: 未确定
晶体结构: Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
比旋光度: 未确定
水溶解性: Insoluble in water.
沸点: 未确定
油水（辛醇/水）分配系数的对数值: 未确定
溶解度/溶解性: 微溶于酸溶液
熔点: 1600
燃烧热: 未确定
爆炸上限（%,V/V）: 未确定
爆炸下限: 未确定
相对蒸汽密度（空气=1）: 未确定
稳定性: 1.如果遵照规格使用和储存则不会分解避免接触氧化物，酸。极微溶于无机酸。介电常数：108。电子迁移率：约4600　cm2/V·s。空穴迁移率：约150　cm2/V·s。具有半导体的特性。2.它有较高的极限速度，所以，ＩｎＰ高频器件的工作极限频率比ＧａＡｓ更高，电子扩散速率与电子迁移率之比小于ＧａＡｓ，故更利于制作低噪声器件。
精确质量: 147.89300
自燃点或引燃温度: 未确定
蒸气压/蒸汽压: 未确定
闪点: 未确定
饱和蒸气压: 未确定
化学性质: 具有沥青光泽的深灰色结晶。介电常数：10.8。电子迁移率：约4600cm2/V·s。空穴迁移率：约150cm2/V·s。具有半导体的特性。不溶于水，极微溶于无机酸。熔点 1070℃。密度 ρ(20)4.81g/mL。
LogP: 0.32580
PSA: 0.00000
外观性质: 深灰色至黑色结晶或片状，单晶呈银灰色且质地较软，具有沥青光泽。

安全信息

安全说明

运输信息：常温运输。危险描述：危险品运输编号3288，WGK Germany 3，RTECS号NL1800000，TSCA listed，存储类别6.1C（可燃，急性毒性类别3，毒性化合物或引起慢性影响的化合物），危险性类别致癌性类别1B、生殖毒性类别2、特异性靶器官毒性-反复接触类别1。毒性数据：小鼠腹腔注射LD>5gm/kg，有内分泌、肺重量、血清成分等变化。

生产及用途

用途与制备

作为半导体材料，用于光纤通讯技术中1.1～1.6μm范围内的光源和接受器，在InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器满足晶格匹配和波长要求；还应用于微波及光电器件领域。

半导体材料；光纤通讯技术；微波及光电器件

路线1：气相外延法

原料：铟(99.9999%)、三氯化磷(99.999%)、高纯氢气
设备：双温区电炉、石英反应管
步骤：双温区控制，源区（700～850℃）铟与PCl3反应生成一氯化铟蒸气，衬底区（600～750℃）磷蒸气与一氯化铟反应淀积生长磷化铟层
条件：氢气线速度14 cm/min，彭泡器0℃，源区温度比衬底高100℃
收率：未明确提及

路线2：石英管封管法

原料：化学计量的铟和红磷
条件：700℃，350～400h
收率：94%～95%

路线3：Zn3P2法

原料：铟、过量Zn3P2
条件：700～800℃，1～2日
收率：低
后处理：稀盐酸处理

路线4：卤素升华法

条件：高真空，650℃以上升华
后处理：过量In提纯

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