7440-55-3 镓

危险化学品，酸性腐蚀品，危险品运输编号UN 3264 8/PG 3，危险等级8，包装类别III，海关编码81129290，存储类别8A - 可燃，腐蚀性物质，RTECS号LW8600000，TSCA listed，毒害物质数据7440-55-3，危害水生环境-长期危害类别3，金属腐蚀物类别1，急性毒性类别4（经口），常温运输。

镓元素标准溶液主要用于制造半导体砷化镓、磷化镓、锗半导体掺杂元素；纯镓及低熔合金可作核反应的热交换介质；温度计的填充料；有机反应中作二酯化的催化剂。不同纯度镓用途不同：4N金属镓≥99.99%用于光伏衬底、磁性材料、高温温度计、低熔点合金、光学玻璃等；5N金属镓≥99.999%用于热传导介质及制作高温真空泵、紫外线灯泡等；6N高纯镓≥99.9999%用于LED用GaAs,GaP,GaSb及NB-Fe-B高级磁性材料；7N高纯镓≥99.99999%用于制绝缘GaAs供IC作衬底；8N(MBE)超纯镓用于分子束外延源制作GaN蓝色LED和LD、微波电路、量子器件。

制造半导体砷化镓、磷化镓、锗半导体掺杂元素；纯镓及低熔合金作核反应热交换介质；温度计填充料；有机反应二酯化催化剂；光伏衬底、磁性材料、高温温度计、低熔点合金、光学玻璃；热传导介质、高温真空泵、紫外线灯泡；LED用GaAs,GaP,GaSb及NB-Fe-B高级磁性材料；绝缘GaAs供IC作衬底；分子束外延源制作GaN蓝色LED和LD、微波电路、量子器件；镀金材料；镓钒、镓锂、镓锆等合金；超导体；永磁材料等合金添加剂；核反应堆热载体；单晶硅、单晶锗掺杂元素；LED和红外器件；超晶格、量子阱等先进半导体器件。

路线1：工业级金属镓提纯

• 原料：工业级金属镓（纯度99.99%）
• 提纯工艺：电解法、减压蒸馏法、分步结晶法、区域熔融法
• 产品纯度：经电解精炼等工艺制得纯度≥99.999%的高纯镓；再经拉制单晶或其他提纯工艺制得纯度≥99.99999%的超高纯镓。

路线2：锌矿原料回收

• 原料：锌矿焙烧后硫酸浸取的铁沉淀物（含0.07%镓）
• 步骤：用氢氧化钠水溶液浸取使铝及镓溶解→中和生成氧化物→加盐酸成三氯化镓GaCl3水溶液→乙醚抽提法提纯→氢氧化镓→溶于氢氧化钠水溶液→电解。

路线3：铝矾土原料回收

• 原料：偏铝酸钠NaAlO2溶液
• 步骤：镓浓度低或杂质多时，使镓与铝的氢氧化物共沉淀→共沉物溶于氢氧化钠水溶液→电解；镓浓度高时直接电解。

路线4：煤烟尘原料回收

• 原料：含镓约0.25%的烟灰
• 步骤：加碳酸钠、氧化铜及碳在反射炉熔炼→三氯化铁FeCl3溶液中加入熔炼物→通氯气使镓溶解生成三氯化镓GaCl3溶液→乙醚抽提法提纯→氢氧化镓→溶于氢氧化钠水溶液→电解。

通用提纯：上述方法得到纯度99%～99.9%的镓，再经电解、减压蒸馏、分步结晶、区域熔融等进一步提纯得到高纯度镓。