25617-98-5 氮化铟(III)

WGK Germany:3；TSCA listed；存储类别:13 - 不可燃性固体

氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中，具有良好的稳态和瞬态电学传输特性，最大的电子迁移率、峰值速率、饱和电子漂移速率、尖峰速率，最小的带隙、电子有效质量，适合用于制备高频器件，在高频率、高速率晶体管的应用开发方面具有独特优势，尤其在太赫兹器件、化学传感器、半导体发光二极管、全光谱太阳能电池等光电器件领域应用价值巨大；制备步骤包括提供衬底并沉积介电薄膜，图案化介电薄膜得到介电凸台，抽真空反应室并放入衬底，生长缓冲层形成凹槽，最后在缓冲层上生长氮化铟得到氮化铟柱。

高频器件; 太赫兹器件; 化学传感器; 半导体发光二极管; 全光谱太阳能电池

路线1：氨热分解(NH₄)₃InF₆

• 步骤: 在快速的氨气流中加热(NH₄)₃InF₆

路线2：氨还原In₂O₃

• 步骤: 用氨在620～630℃与In₂O₃反应4小时
• 条件: 温度620～630℃，反应时间4小时，氨气氛