1590-87-0 乙硅烷

危险品运输编号UN 2203，危险类别2.1。危险性描述：H220（极易燃气体）、H280（含有加压气体，加热可能爆炸）、H312（与皮肤接触有害）、H315（造成皮肤刺激）、H319（造成严重眼刺激）、H332（吸入有害）、H334（吸入可能导致过敏或哮喘症状）、H335（可能引起呼吸道刺激）。防范说明：P210（远离热源/火花/明火/热表面）、P261（避免吸入粉尘/烟雾/气体）、P280（戴防护手套/护目镜/防护面具）、P305+P351+P338（眼睛接触后立即用大量水冲洗并就医）、P342+P311（如感觉不适，立即呼叫解毒中心或就医）、P410+P403（存放在通风良好处，远离热源）。危险标志：GHS02（易燃气体）、GHS04（加压气体）、GHS07（健康危害）、GHS08（致癌性）。

乙硅烷是有毒无色易燃气体，硅-硅键弱不稳定，可作氢源。用于生产非晶硅（640℃分解沉积），控制SiC热分解石墨烯生长中Si蒸气压力；在太阳能电池生产中沉积速度快且温度低200-300℃；离子注入中作离子源效果优于其他气体；用于半导体外延、扩散工艺及电子照相感光鼓。

太阳能电池; 感光转筒; 非晶硅膜; 外延成长; 氧化膜; 氮化膜; 化学气相沉积; 离子注入; 半导体工艺; 电子照相用感光鼓

路线1：硅烷原料气放电法

• 步骤：硅烷原料气经流量计（或质量流量计）进入放电管，在适当温度、频率和电压下反应，生成含乙硅烷、甲烷和氢的混合气；混合气经不同冷却条件吸收，排出杂质，得到高纯乙硅烷。

路线2：甲硅烷辉光放电法

• 步骤：甲硅烷经辉光放电后聚合生成高级硅烷；用液氮冷却回收，采用低温精馏法除去氢和甲硅烷，得到乙硅烷。

路线3：硅化镁法

• 反应：Mg₂Si + HCl → Si₂H₆ + MgCl₂（产物含单硅烷、乙硅烷、丙硅烷、丁硅烷混合物）；将混合物精制分离后得乙硅烷。

路线4：六氯乙硅烷还原法

• 步骤：用氢化铝锂等还原剂还原六氯乙硅烷，产物经低温精馏和吸附等方法精制得到乙硅烷。