1312-41-0 锑化铟

运输信息：常温运输。危险描述：危险品运输编号UN 1549 6.1/PG 3，危险等级6.1，包装类别III，海关编码2853909090，存储类别6.1D。危险性描述H302（吞咽有害）、H332（吸入有害）、H411（对水生环境有长期有害作用），危险标志GHS07、GHS09，信号词Warning，防范说明P273。非危险化学品（部分来源）。

锑化铟(InSb)是研究较早的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，晶体呈银色、质脆，为闪锌矿结构，晶格常数6.48Å，直接带隙，禁带宽度0.18eV，电子迁移率7800cm²/V·s，可制作红外探测器、光磁探测器、Hall器件，是红外探测器件、霍耳器件、磁阻器件的衬底材料，用于3～5μm波段成像器件和焦平面阵列器件，也用于制作3～5μm波长的红外探测器单元、多元及焦平面红外探测器以及磁敏器件。

化学合成；材料科学；陶瓷科学；红外探测器；霍耳器件；磁阻器件；光伏型或光导型红外探测器；焦平面红外探测器；磁敏器件

路线1：

• 步骤: 将20g铟、21.22g锑置于石英盘中，装进石英管内，在氢气流或惰性气流中将石英管加热至530～540℃，使之反应。

路线2：

• 步骤: 单晶制法与GaSb相同，能够采用横形布里奇曼制单晶法，但普通多采用拉晶法进行，为得到高纯结晶使用高纯原料。