12064-03-8 锑化镓

该物质运输编号为UN 1549，危险等级6.1，包装类别III，属于急性毒性类别4（吸入、经口）和危害水生环境-长期危害类别2。存储类别为13 - 不可燃性固体，TSCA listed，WGK Germany为2，海关编码2853909090。

锑化镓（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半导体，属于闪锌矿、直接带隙材料，其禁带宽度为0.725eV（300K），晶格常数为0.60959nm。GaSb具有优异的物理化学性能，常被用做衬底材料，应用于8~14mm及大于14mm的红外探测器和激光器。此外，Te掺杂的GaSb可用于制备高光电转化效率的热光伏器件、迭层太阳能电池及微波器件等。用于制造激光器,探测器,高频器件,太阳电池。

红外探测器; 激光器; 高频器件; 太阳电池; 热光伏器件; 迭层太阳能电池; 微波器件

基础合成路线

• 原料: 20g镓、34.94g锑
• 容器: 石墨盘、石英管
• 除氧: 用氢气流充分置换掉空气
• 反应条件: 在氢气流中加热石英管至720～730℃使其化合
• 单晶生长: 从石英管中慢慢取出，使熔融状态的GaSb从盘的一端开始固化形成结晶；制备半导体用GaSb时，原料盘及石英管需为高纯度制品，必要时进行区域熔融提纯
• 单晶生长优化: 采用液封直拉法（LEC），在熔体表面覆盖液态覆盖剂，或在生长室内充入一定压力的惰性气体抑制Sb元素离解挥发