钛酸铜钙

钛酸铜钙（CCTO）因高介电常数、低损耗及宽温区稳定性，应用于高密度能量存储、薄膜器件（如MEMS、GB-DRAM）、高介电电容器等高新技术领域，还可用于电容器、电阻器、新能源电池、DRAM、电子、太阳能电池、新能源汽车电池及高端航天设备等。

高密度能量存储; 薄膜器件（MEMS、GB-DRAM）; 高介电电容器; 电容器; 电阻器; 新能源电池; 动态随机存储记忆体（DRAM）; 电子; 太阳能电池; 新能源汽车电池; 高端航天电容; 太阳板

主要方法：固相法

• 原料：氧化钙、氧化铜、二氧化钛
• 工艺：球磨混合后煅烧
• 烧结温度：1000-1100℃
• 特点：工艺简单、成本低，但原料混合不均匀及粉体活性低可能导致合成温度升高，且球磨引入杂质相可能降低介电常数。

其他方法：溶胶-凝胶法、共沉淀法、水热合成法（未详述具体步骤）