12063-98-8 磷化镓

危险品运输编号:3288（UN 3288），WGK Germany:2，RTECS号:LW9675000，F:10-21，TSCA listed，存储类别:11 - 可燃固体。危险性类别:眼部刺激 类别2，特异性靶器官毒性-一次接触，类别3；GHS危险描述:H319（严重眼损伤/眼刺激）、H335（吸入可能有害）；危险标志:GHS07；防范说明:P261（避免吸入粉尘/烟雾）、P305 + P351 + P338（眼睛接触后，立即用大量水冲洗并就医）；信号词:Warning。

磷化镓是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，常温下为橙红色透明固体，主要用作制造整流器、晶体管、光导管、激光二极管、致冷元件等半导体可见发光器件；其单晶是制备红、绿、黄、橙四色可见光LED的主要衬底材料；用于InGaAsP/InP等半导体中。

半导体器件（发光二极管、太阳能电池等）

路线1：高压单晶炉液体密封直拉法（LEC法）

• 步骤：在高压合成炉中把高纯（6N以上）元素镓和磷合成GaP多晶，再将多晶料经清洁处理后装入高压单晶炉中拉制单晶。
• 条件：炉室压强5～6MPa，拉速≈10mm/h。

路线2：溶质扩散法（SSD法）

• 步骤：将镓放入石英坩埚中，镓源温度在1100～1150℃之间，坩埚底部放磷化镓籽晶处温度为1000～1050℃，磷源温度为420℃，磷蒸气与高温镓表面反应生成磷化镓膜，溶于镓液并向坩埚底部扩散，冷却时析出晶体。
• 条件：磷蒸气压约0.1MPa，磷化镓离解压0.67Pa。

路线3：外延生长法

• 液相外延（LPE）：在GaP衬底上通过液相外延生长GaP或GaAsP的p-n结，生长方式多为冷却法（降温法），操作工艺有滑动舟法、浸渍法、双箱法等，设备容量一般为20～50片/次，垂直衬底架可达200片/次。
• 气相外延（VPE）：在GaP衬底上通过气相外延生长p-n结，黄、橙色LED常用此技术，衬底片直径一般为50mm。
• MOCVD法：采用金属有机热分解气相生长法。