12007-10-2 硼化二钨

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用于耐磨件的耐磨涂层及半导体薄膜

耐磨件; 半导体

路线1：

• 原料：金属钨和硼；
• 步骤：将两者充分混合、研磨，在1400℃以上加热反应得WB，继续反应生成W₂B，经冷却、粉碎得产品。

路线2：

• 原料：钨与化学计量的硼粉（W∶B=2∶1摩尔比）；
• 条件：真空或氩气氛中，1200～1300℃烧结；
• 产物：一硼化二钨（W₂B）。

路线3：

• 原料：金属钨粉和元素硼（化学计量）；
• 步骤：混合、研磨、成型，在1400℃以上加热反应得WB，继续反应生成W₂B，经冷却、粉碎得产品。