7440-56-4 金属锗

危险品运输编号:UN 3089 4.1/PG 2，危险等级:8，包装类别:III，海关编码:28053090，存储类别:13 - 不可燃性固体，RTECS号:LY5200000，TSCA:TSCA listed，信号词:Warning，危险性描述:H315; H319; H335，危险标志:GHS07，危险性防范说明:P261; P305 + P351 + P338

作为半导体材料，用于高频电流检波和交流电整流；单晶锗因高折射系数和红外透明性，制成红外光学材料（锗窗、棱镜、透镜）；掺镓单晶锗用于低温温度计和辐射热测量计；合金剂（提高铝镁合金硬度强度）；焊接材料（金-锗合金）；催化剂、磷光体及红外设备；半导体器件（晶体管、二极管、芯片）。

半导体器件（晶体管、二极管、计算机芯片）；红外光学材料（锗窗、棱镜、透镜）；合金剂（与锑、镓等形成合金）；催化剂；磷光体；红外探测器；焊接珠宝（金-锗合金）

路线1：锌冶炼副产品回收

• 步骤1：锌矿石浮选浓缩后焙烧，转化为氧化物；
• 步骤2：用NaCl和煤加热粗氧化物，生成挥发性氯化物（GeCl₄）；
• 步骤3：冷凝氯化物蒸气，分馏分离出GeCl₄；
• 步骤4：GeCl₄水解生成GeO₂，1000℃下用H₂还原得粗锗；
• 步骤5：区域精炼去除杂质，获得超高纯度半导体级锗。

路线2：煤中锗回收

• 步骤1：煤灰与Na₂CO₃、CuO、CaO、煤粉混合冶炼；
• 步骤2：粗氧化物转化为挥发性氯化物，分馏分离GeCl₄；
• 步骤3：GeCl₄水解、H₂还原得粗锗，区域精炼提纯。

路线3：单晶制备

• 方法：Czochralski技术（直拉法）；
• 条件：惰性气氛中，晶种接触熔体，控制温度和播散条件；
• 产物：直径达几英寸的单晶锗棒，用于半导体器件。